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记者从中国科学技术大学获悉 ,中科大张树辰特任教授团队联合美国普渡大学 、上海科技大学的研究人员,在新型半导体材料领域取得重要进展——研究团队首次在二维离子型软晶格材料中,实现了面内可编程、原子级平整的“马赛克 ”式异质结的可控构筑 ,为未来高性能发光和集成器件的研发开辟了全新路径。相关成果于1月15日在线发表于国际权威学术期刊《自然》 。
在半导体领域,能够在材料平面内横向精准构建异质结构,是探索新奇物性、研发新型器件及推动器件微型化的关键。然而 ,以二维卤化物钙钛矿为代表的离子型软晶格半导体,其晶体结构柔软且不稳定,传统光刻加工等技术往往因反应过于剧烈而破坏材料结构 ,难以实现高质量的横向异质集成。如何在此类材料中实现高质量 、可控外延的横向异质结的精密加工,是此领域面临的重要科学难题 。
面对这一挑战,研究团队独辟蹊径,创新性地提出并发展了一种引导晶体内应力“自刻蚀”的新方法。研究人员发现 ,二维钙钛矿单晶在生长过程中会自然累积内部应力,团队巧妙设计了一种温和的配体-溶剂微环境,能够选择性地激活并利用这些内应力 ,引导单晶在特定位置发生可控的“自刻蚀”,从而形成规则的方形孔洞结构。随后,通过快速外延生长技术 ,将不同种类的半导体材料精准回填,最终在单一晶片内部构筑出晶格连续、界面原子级平整的高质量“马赛克 ”异质结 。
“这种全新的加工方法,不是通过‘拼接’不同材料 ,而是在同一块完整晶体中,引导它自身进行精密的‘自我组装’。”张树辰解释道,“这意味着 ,未来我们有可能在一块极薄的材料上,直接‘生长’出密集排列的、能发出不同颜色光的微小像素点,为未来的高性能发光与显示器件的发展,提供一种全新的备选材料体系和设计思路。”
研究人员表示 ,此项研究首次在二维离子型材料体系中,实现了对横向异质结结构的高质量 、可设计性构筑,突破了传统工艺的局限 ,其展现的驾驭晶体内应力与动力学新范式,实现了单晶内部功能结构的可编程演化,为研究理想化界面物理提供了全新平台 ,也为低维材料的集成化与器件化开辟了新的路径 。
(文章来源:财联社)
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